Bỏ qua thông tin sản phẩm
1 của 10

3BHB021400R0002 | ABB 5SHY4045L0004 Mô-đun GVC736 GBT

3BHB021400R0002 | ABB 5SHY4045L0004 Mô-đun GVC736 GBT

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 3BHB021400R0002

  • Condition:1000 trong kho

  • Product Type: Mô-đun GBT

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment: T/T, Western Union

  • Weight: 3500g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

  • Hỗ trợ 24/7
  • Trả hàng trong vòng 30 ngày
  • Vận chuyển nhanh

Module IGBT ABB 5SHY4045L0004 GVC736 3BHB021400R0002

Tổng quan sản phẩm

  • ABB 5SHY4045L0004, với mã đặt hàng 3BHB021400R0002 và ký hiệu GVC736, là một Module Transistor lưỡng cực cổng cách ly (IGBT) thuộc dòng HiPak của ABB, được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp công suất cao. Module này được tối ưu hóa cho các hệ thống điện tử công suất trung bình đến cao áp, bao gồm biến tần tần số biến đổi (VFD), điều khiển động cơ, bộ biến tần năng lượng tái tạo, hệ thống kéo, và các ứng dụng dòng điện một chiều điện áp cao (HVDC). Nó được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp như phát điện, dầu khí, vận tải và sản xuất nặng để chuyển mạch và điều khiển công suất hiệu quả. 5SHY4045L0004 nổi tiếng với độ tin cậy cao, tổn thất chuyển mạch thấp và thiết kế chắc chắn, phù hợp với môi trường khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật

  • 5SHY4045L0004 (GVC736, 3BHB021400R0002) có các thông số kỹ thuật sau dựa trên nguồn công nghiệp và tài liệu của ABB:
Thông số Chi tiết
Mẫu/Số phần 5SHY4045L0004
Ký hiệu GVC736
Mã đặt hàng 3BHB021400R0002
Nhà sản xuất ABB
Mô tả Module IGBT (Dòng HiPak)
Dòng sản phẩm HiPak IGBT
Chức năng Chuyển mạch công suất cao cho bộ điều khiển động cơ, bộ biến tần, bộ chuyển đổi và hệ thống HVDC
Cấu hình Module IGBT đơn với diode phục hồi nhanh tích hợp
Điện áp định mức (V_CES) 4500 V (Điện áp Collector-Emitter)
Dòng định mức (I_C) 4000 A (Dòng Collector danh định tại 25°C)
Công suất tỏa nhiệt Xử lý công suất cao (giá trị chính xác phụ thuộc ứng dụng, thường >10 kW)
Tần số chuyển mạch Tối ưu cho tần số thấp đến trung bình (tối đa 2 kHz, tùy ứng dụng)
Điện áp điều khiển cổng ±15 V đến ±20 V (điển hình)
Điện áp cách ly 10.2 kV (RMS, 1 phút)
Điện trở nhiệt (R_th(j-c)) Thấp, khoảng 0.006 K/W (từ mối nối đến vỏ, theo datasheet)
Làm mát Cần làm mát bằng chất lỏng hoặc làm mát bằng không khí cưỡng bức
Nhiệt độ hoạt động mối nối -40°C đến +150°C (-40°F đến +302°F)
Thông số môi trường Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +125°C (-40°F đến +257°F)
Nhiệt độ lưu trữ: -40°C đến +150°C (-40°F đến +302°F)
Độ ẩm tương đối: 5% đến 95% không ngưng tụ
Rung động: Tuân thủ IEC 60068-2-6
Loại bao bì HiPak2 (module tiêu chuẩn công suất cao)
Kích thước Khoảng 190 mm (D) x 140 mm (R) x 38 mm (C)
Trọng lượng Khoảng 2.5–3.5 kg
Gắn kết Gắn bằng bu lông lên tản nhiệt hoặc khung máy
Chứng nhận Tuân thủ CE, UL, RoHS, tiêu chuẩn IEC 60747

 

Xem đầy đủ chi tiết

Product Description

Module IGBT ABB 5SHY4045L0004 GVC736 3BHB021400R0002

Tổng quan sản phẩm

  • ABB 5SHY4045L0004, với mã đặt hàng 3BHB021400R0002 và ký hiệu GVC736, là một Module Transistor lưỡng cực cổng cách ly (IGBT) thuộc dòng HiPak của ABB, được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp công suất cao. Module này được tối ưu hóa cho các hệ thống điện tử công suất trung bình đến cao áp, bao gồm biến tần tần số biến đổi (VFD), điều khiển động cơ, bộ biến tần năng lượng tái tạo, hệ thống kéo, và các ứng dụng dòng điện một chiều điện áp cao (HVDC). Nó được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp như phát điện, dầu khí, vận tải và sản xuất nặng để chuyển mạch và điều khiển công suất hiệu quả. 5SHY4045L0004 nổi tiếng với độ tin cậy cao, tổn thất chuyển mạch thấp và thiết kế chắc chắn, phù hợp với môi trường khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật

  • 5SHY4045L0004 (GVC736, 3BHB021400R0002) có các thông số kỹ thuật sau dựa trên nguồn công nghiệp và tài liệu của ABB:
Thông số Chi tiết
Mẫu/Số phần 5SHY4045L0004
Ký hiệu GVC736
Mã đặt hàng 3BHB021400R0002
Nhà sản xuất ABB
Mô tả Module IGBT (Dòng HiPak)
Dòng sản phẩm HiPak IGBT
Chức năng Chuyển mạch công suất cao cho bộ điều khiển động cơ, bộ biến tần, bộ chuyển đổi và hệ thống HVDC
Cấu hình Module IGBT đơn với diode phục hồi nhanh tích hợp
Điện áp định mức (V_CES) 4500 V (Điện áp Collector-Emitter)
Dòng định mức (I_C) 4000 A (Dòng Collector danh định tại 25°C)
Công suất tỏa nhiệt Xử lý công suất cao (giá trị chính xác phụ thuộc ứng dụng, thường >10 kW)
Tần số chuyển mạch Tối ưu cho tần số thấp đến trung bình (tối đa 2 kHz, tùy ứng dụng)
Điện áp điều khiển cổng ±15 V đến ±20 V (điển hình)
Điện áp cách ly 10.2 kV (RMS, 1 phút)
Điện trở nhiệt (R_th(j-c)) Thấp, khoảng 0.006 K/W (từ mối nối đến vỏ, theo datasheet)
Làm mát Cần làm mát bằng chất lỏng hoặc làm mát bằng không khí cưỡng bức
Nhiệt độ hoạt động mối nối -40°C đến +150°C (-40°F đến +302°F)
Thông số môi trường Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +125°C (-40°F đến +257°F)
Nhiệt độ lưu trữ: -40°C đến +150°C (-40°F đến +302°F)
Độ ẩm tương đối: 5% đến 95% không ngưng tụ
Rung động: Tuân thủ IEC 60068-2-6
Loại bao bì HiPak2 (module tiêu chuẩn công suất cao)
Kích thước Khoảng 190 mm (D) x 140 mm (R) x 38 mm (C)
Trọng lượng Khoảng 2.5–3.5 kg
Gắn kết Gắn bằng bu lông lên tản nhiệt hoặc khung máy
Chứng nhận Tuân thủ CE, UL, RoHS, tiêu chuẩn IEC 60747

 

Customer Reviews

Be the first to write a review
0%
(0)
0%
(0)
0%
(0)
0%
(0)
0%
(0)