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3BHB012961R0002 | ABB 5SHX2645L0006 IGBT-Modul

3BHB012961R0002 | ABB 5SHX2645L0006 IGBT-Modul

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 3BHB012961R0002

  • Condition:1000 auf Lager

  • Product Type: IGBT-Modul

  • Product Origin: Switzerland

  • Payment: T/T, Western Union

  • Weight: 2000g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

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  • Schneller Versand

ABB 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 IGBT-Modul

Produktübersicht

  • Das ABB 5SHX2645L0006 mit der Bestellnummer 3BHB012961R0002 ist ein isoliertes Gate-Bipolartransistor (IGBT)-Modul, das für den Einsatz in leistungsstarken Industrieanwendungen entwickelt wurde. Dieses Modul ist Teil der HiPak-Serie von ABB, die speziell für mittel- bis hochspannungs-Leistungselektroniksysteme wie Frequenzumrichter (VFDs), Motorsteuerungen, Wechselrichter für erneuerbare Energien und Traktionssysteme ausgelegt ist. Es wird in Branchen wie Öl und Gas, Energieerzeugung, Transport und Schwerindustrie weit verbreitet für effizientes Schalten und Steuern von Leistung eingesetzt. Das 5SHX2645L0006 ist bekannt für seine hohe Zuverlässigkeit, geringe Verluste und robustes Design, das für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.

Technische Spezifikationen

  • Das 5SHX2645L0006 (3BHB012961R0002) hat folgende Spezifikationen
Spezifikation Details
Modell-/Teilenummer 5SHX2645L0006
Bestellcode 3BHB012961R0002
Hersteller ABB
Beschreibung IGBT-Modul (HiPak-Serie)
Serie HiPak IGBT
Funktion Leistungsstarkes Schalten für Motorantriebe, Wechselrichter und Umrichter
Konfiguration Einzelnes IGBT-Modul mit integrierter Diode
Spannungsfestigkeit (V_CES) 4500 V (Kollektor-Emitter-Spannung)
Stromstärke (I_C) 2600 A (Nenn-Kollektorstrom bei 25°C)
Leistungsabgabe Hohe Leistungsaufnahme (exakter Wert abhängig von der Anwendung)
Schaltfrequenz Optimiert für niedrige bis mittlere Frequenzen (bis zu mehreren kHz)
Gate-Ansteuerspannung ±15 V bis ±20 V (typisch)
Isolationsspannung 10,2 kV (RMS, 1 Minute)
Thermischer Widerstand Niedriger R_th(j-c) für effiziente Wärmeableitung (exakter Wert im Datenblatt)
Kühlung Erzwungene Luft- oder Flüssigkeitskühlung erforderlich
Betriebstemperatur des Halbleiterübergangs -40°C bis +150°C (-40°F bis +302°F)
Umweltspezifikationen Betriebstemperatur: -40°C bis +125°C (-40°F bis +257°F)
Lagertemperatur: -40°C bis +150°C (-40°F bis +302°F)
Relative Luftfeuchtigkeit: 5% bis 95% nicht kondensierend
Vibration: IEC 60068-2-6 konform
Gehäusetyp HiPak2 (standardisiertes Hochleistungsmodul)
Abmessungen Ca. 190 mm (L) x 140 mm (B) x 38 mm (H)
Gewicht Ca. 2–3 kg
Montage Aufschraubmontage an Kühlkörper oder Gehäuse
Zertifizierungen CE, UL, RoHS-konform, IEC 60747 Standards

 

Alle Einzelheiten anzeigen

Product Description

ABB 5SHX2645L0006 3BHB012961R0002 IGBT-Modul

Produktübersicht

  • Das ABB 5SHX2645L0006 mit der Bestellnummer 3BHB012961R0002 ist ein isoliertes Gate-Bipolartransistor (IGBT)-Modul, das für den Einsatz in leistungsstarken Industrieanwendungen entwickelt wurde. Dieses Modul ist Teil der HiPak-Serie von ABB, die speziell für mittel- bis hochspannungs-Leistungselektroniksysteme wie Frequenzumrichter (VFDs), Motorsteuerungen, Wechselrichter für erneuerbare Energien und Traktionssysteme ausgelegt ist. Es wird in Branchen wie Öl und Gas, Energieerzeugung, Transport und Schwerindustrie weit verbreitet für effizientes Schalten und Steuern von Leistung eingesetzt. Das 5SHX2645L0006 ist bekannt für seine hohe Zuverlässigkeit, geringe Verluste und robustes Design, das für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.

Technische Spezifikationen

  • Das 5SHX2645L0006 (3BHB012961R0002) hat folgende Spezifikationen
Spezifikation Details
Modell-/Teilenummer 5SHX2645L0006
Bestellcode 3BHB012961R0002
Hersteller ABB
Beschreibung IGBT-Modul (HiPak-Serie)
Serie HiPak IGBT
Funktion Leistungsstarkes Schalten für Motorantriebe, Wechselrichter und Umrichter
Konfiguration Einzelnes IGBT-Modul mit integrierter Diode
Spannungsfestigkeit (V_CES) 4500 V (Kollektor-Emitter-Spannung)
Stromstärke (I_C) 2600 A (Nenn-Kollektorstrom bei 25°C)
Leistungsabgabe Hohe Leistungsaufnahme (exakter Wert abhängig von der Anwendung)
Schaltfrequenz Optimiert für niedrige bis mittlere Frequenzen (bis zu mehreren kHz)
Gate-Ansteuerspannung ±15 V bis ±20 V (typisch)
Isolationsspannung 10,2 kV (RMS, 1 Minute)
Thermischer Widerstand Niedriger R_th(j-c) für effiziente Wärmeableitung (exakter Wert im Datenblatt)
Kühlung Erzwungene Luft- oder Flüssigkeitskühlung erforderlich
Betriebstemperatur des Halbleiterübergangs -40°C bis +150°C (-40°F bis +302°F)
Umweltspezifikationen Betriebstemperatur: -40°C bis +125°C (-40°F bis +257°F)
Lagertemperatur: -40°C bis +150°C (-40°F bis +302°F)
Relative Luftfeuchtigkeit: 5% bis 95% nicht kondensierend
Vibration: IEC 60068-2-6 konform
Gehäusetyp HiPak2 (standardisiertes Hochleistungsmodul)
Abmessungen Ca. 190 mm (L) x 140 mm (B) x 38 mm (H)
Gewicht Ca. 2–3 kg
Montage Aufschraubmontage an Kühlkörper oder Gehäuse
Zertifizierungen CE, UL, RoHS-konform, IEC 60747 Standards

 

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